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J-GLOBAL ID：200902126535321812   整理番号：00A0240124

低速電子ビーム近接リソグラフィー(LEEPL) 最も簡単なものが最良か

Low-Energy E-Beam Proximity Lithography (LEEPL). Is the Simplest the Best?

著者 (1件)： UTSUMI T (Technische Univ. Wien, AUT)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 12B  ページ： 7046-7051  発行年： 1999年12月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.1μm以下の最小凹凸規模に対する最も簡単な集積回路リソグ...

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,...

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分類 (2件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (29件)：

• 1) G. E. Moore: Proc. SPIE 2437 (1995) 2.
• 2) H. Bohlen, U. Behringer, J. Keyser, P. Nehmiz, W. Zapka and W. Kulcke: Solid State Technol. (1984) 210.
• 3) P. Nehmiz, U. Behringer, H. Bohlen and M. Kalmeyer: J. Vac. Sci. & Technol. 11 (1983) 1023.
• 4) U. Behringer and H. Engelke: J. Vac. Sci. & Technol. 11 (1983) 2400.
• 5) U. Behringer and P. Vettiger: J. Vac. Sci. & Technol. (1986) 94.

タイトルに関連する用語 (4件)： 低速 ,  電子ビーム ,  リソグラフィー ,  LEEPL