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J-GLOBAL ID：200902127049876930   整理番号：01A1067119

タリウム系新混晶半導体による,発振波長の温度変化がない半導体レーザーの実現をめざして

Aiming at the realization of temperature-independent lasing wavelength semiconductor lasers using Tl-containing new alloy semiconductors.

著者 (1件)： 朝日一 (大阪大 産科研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 70  号： 11  ページ： 1321-1324  発行年： 2001年11月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： インターネットの急速な普及・拡大による通信容量の増大に対応す...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： ガスソースMBE

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (17件)：

• OE, K. IEICE Trans. Electron. 1996, E79-C, 1751
• 尾江邦重. 応用物理. 1997, 66, 146
• ASAHI, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L876
• ASAHI, H. Compound Semicond. 1996, 2, 34
• ASAHI, H. Proc. 9th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, Hyannis. 1997, 448

タイトルに関連する用語 (5件)： タリウム ,  混晶半導体 ,  発振波長 ,  温度変化 ,  半導体レーザー