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J-GLOBAL ID：200902176272211453   整理番号：96A0705952

0.9μm~10μm以上の波長領域のレーザダイオード用の新しいIII-V化合物半導体としてのTlInGaPとこれらの初めて成功した成長

New III-V Compound Semiconductors TlInGaP for 0.9 μm to over 10 μm Wavelength Range Laser Diodes and Their First Successful Growth.

著者 (5件)： ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMOTO K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IWATA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OE K (NTT Opto-Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35  号： 7B  ページ： L876-L879  発行年： 1996年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Inpに格子整合するTl_xIn<sub...

シソーラス用語： タリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (9件)：

• OE, K. 14th Electronic Materials Symp. 1995, 191-194
• LONG, D. Energy Bands in Semiconductors. 1968
• FEIT, Z. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 343
• CHOI, H. K. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 332
• LEE, H. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1942

タイトルに関連する用語 (5件)： 波長領域 ,  レーザダイオード ,  III-V化合物半導体 ,  成功 ,  成長