文献
J-GLOBAL ID:200902127421766985   整理番号:00A0456059

Na 低温での六方晶窒化ほう素結晶成長の新しいフラックス

Na. A New Flux for Growing Hexagonal Boron Nitride Crystals at Low Temperature.
著者 (7件):
資料名:
巻: 39  号: 4A  ページ: L300-L302  発行年: 2000年04月01日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ほう素の融解温度2075°Cが六方晶窒化ほう素(h-BN)結晶...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0456059&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
その他の無機化合物の結晶成長 
引用文献 (14件):
もっと見る
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る