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J-GLOBAL ID：200902128584226224   整理番号：97A0823437

シランを用いた高周波放電プラズマにおける電子とイオンのエネルギーの制御

Electron and Ion Energy Controls in a Radio Frequency Discharge Plasma with Silane.

著者 (6件)： KATO K (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  IIZUKA S (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  GANGULY G (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  IKEDA T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  MATSUDA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SATO N (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 7B  ページ： 4547-4550  発行年： 1997年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスシリコン膜製造用の,シランを用いたrf放電...

シソーラス用語： *高周波放電 ,...
準シソーラス用語： EEDF

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分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• 1) G. Ganguly and A. Matsuda: Mater. Res. Soc. Proc. 336 (1994) 7.
• 2) A. Matsuda, K. Yagii, M. Koyama, M. Toyama, Y. Imanishi, N. Ikuchi and K. Tanaka: Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 1061
• 3) K. Kato, S. Iizuka and N. Sato: Proc. 10th Symp. Plasma Processing, Osaka, 1993 (Jpn. Soc. Appl. Phys., 1993) p. 353.
• 4) K. Kato, S. Iizuka and N. Sato: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 816
• 5) K. Kato, S. Iizuka and N. Sato: Proc. 13th Symp. Plasma Processing, Tokyo, 1996 (Jpn. Soc. Appl. Phys., 1996) p. 183.

タイトルに関連する用語 (6件)： シラン ,  高周波放電 ,  プラズマ ,  電子 ,  イオン ,  エネルギー