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J-GLOBAL ID：200902128888783880   整理番号：01A0234433

高誘電体ゲート絶縁膜の開発と材料科学

Materials Science Approach to High-κ Gate Dielectric Insulators for Si-ULSI.

著者 (1件)： 鳥海明 (東大 大学院工学系研究所)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J84-C  号： 2  ページ： 76-89  発行年： 2001年02月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： いよいよ本格的な開発が始まろうとしている高誘電体ゲート絶縁膜...

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (35件)：

• SHULTZ, M. The end of the road for silicon?. Nature. 1999, 399, 729
• MULLER, D. A. The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides. Nature. 1999, 399, 758
• STATHIS, J. H. Reliability projection for ultra-thin oxides at low voltage. Tech. Dig. IEDM'98. 1998, 167-170
• SHANNON, R. D. Dielectric polarizabilities of ions in oxides and fluorides. J. Appl. Phys. 1993, 73, 348-366
• ROBERTSON, J. Schottky barrier heights of tantalum oxide, barium strontium titanate lead titanate, and strontium bismuth tantalate. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1168-1170

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  開発 ,  材料科学