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J-GLOBAL ID：200902129236774656   整理番号：02A0600974

硫黄イオン注入ホモエピタキシャルダイヤモンド膜からの電子電界放出

Electron Field Emission from Sulfur Ion Implanted Homoepitaxial Diamond Films.

著者 (5件)： KATOH S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIKUCHI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MARUYAMA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOBAYASHI T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANAYA M (Ion Engineering Res. Inst. Corp., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 6A  ページ： 3924-3925  発行年： 2002年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無ドープ及び硫黄ドープダイヤモンド膜の電子電界放出特性を研究...

シソーラス用語： *硫黄 ,...

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分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (15件)：

• 1) H. Kawamura, T. Maki and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2622.
• 2) F. J. Himpsel, J. A. Knapp, J. A. Van Vechten and D. E. Eastman: Phys. Rev. B 20 (1979) 624.
• 3) M. W. Gais, J. A. Gregory and B. B. Pate: IEEE Trans. Electron Devices 38 (1991) 619.
• 4) A. T. Collins: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162 (1990) 3.
• 5) S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozaki and T. Inuzuka: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1065.

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫黄 ,  イオン注入 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド膜 ,  電子 ,  電界放出