文献

J-GLOBAL ID：200902131451952640   整理番号：02A0058512

MgドープしたGaNにおけるp型活性化の新しい方法

Novel Methods of p-type Activation in Mg-doped GaN.

著者 (2件)： TAKEYA M (Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN) ,  IKEDA M (Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 11  ページ： 6260-6262  発行年： 2001年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温-長時間アニール法とRF入力活性化法を利用して,Mgドー...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0058512&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (8件)：

• 1) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 2) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L139.
• 3) S. J. Pearton, J. W. Lee and C. Yuan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2690.
• 4) M. Miyachi, T. Tanaka, Y. Kimura and H. Ota: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1101.
• 5) Y. Kamiura, Y. Yamashita and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L970.

タイトルに関連する用語 (4件)： Mg ,  ドープ ,  GaN ,  活性化