過塩素酸を使う203°CにおけるSiO<sub>2</sub>/SiC構造の形成

KOBAYASHI H; SAKURAI T; NISHIYAMA M; NISHIOKA Y

文献

J-GLOBAL ID：200902131869227110 整理番号：01A0568448

過塩素酸を使う203°CにおけるSiO₂/SiC構造の形成

Formation of a SiO₂/SiC structure at 203°C by use of perchloric acid.

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巻： 78 号： 16 ページ： 2336-2338 発行年： 2001年04月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

過塩素酸を使ってSiO₂/SiC構造を...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 酸化物薄膜

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過塩素酸を使う203°CにおけるSiO2/SiC構造の形成

過塩素酸を使う203°CにおけるSiO₂/SiC構造の形成