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J-GLOBAL ID:200902131869227110   整理番号:01A0568448

過塩素酸を使う203°CにおけるSiO2/SiC構造の形成

Formation of a SiO2/SiC structure at 203°C by use of perchloric acid.
著者 (4件):
資料名:
巻: 78  号: 16  ページ: 2336-2338  発行年: 2001年04月16日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造  ,  酸化物薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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