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J-GLOBAL ID：200902133249895085   整理番号：01A0700105

FET型強誘電体メモリに適用するためのPt/(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/Si₃N₄/Si金属強誘電体絶縁体半導体構造の作製と特性評価

Fabrication and Characterization of Pt/(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/Si₃N₄/Si Metal Ferroelectric Insulator Semiconductor Structure for FET-Type Ferroelectric Memory Applications.

著者 (3件)： KIJIMA T (R&D Assoc. Future Electron Devices, Tokyo, JPN) ,  FUJISAKI Y (R&D Assoc. Future Electron Devices, Tokyo, JPN) ,  ISHIWARA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4B  ページ： 2977-2982  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体メモリ用としてゾル-ゲル法により残留分極の小さいBi...

シソーラス用語： *集積回路メモリ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (8件)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electr. Devices ED-10 (1963) 338.
• 2) S. Y. Wu: Ferroelectrics 11 (1976) 379.
• 3) Y. Matsui, M. Okuyama, M. Noda and Y. Hamakawa: Appl. Phys. A 28 (1982) 161.
• 4) D. R. Lampe, D. A. Adams, M. Austin, M. Polinsky, J. Dzimianski, S. Sinhaloy, H. Buhay, P. Brabant and Y. M. Liu: Ferroelectrics 133 (1992) 61.
• 5) S. M. Yoon, E. Tokumitsu and H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2119.

タイトルに関連する用語 (11件)： FET ,  強誘電体メモリ ,  Pt ,  Bi ,  La ,  Si3N4 ,  Si ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  作製 ,  特性評価