文献

J-GLOBAL ID：200902139162952269   整理番号：00A0544407

シナプス素子としてPt/SrBi₂Ta₂O₉/Pt/Ti/SiO₂/Si構造の電界効果トランジスタを使用した強誘電体ニューロン回路のメモリ保持特性の改善

Improvement of Memory Retention Characteristics in Ferroelectric Neuron Circuits Using a Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Pt/Ti/SiO₂/Si Structure-Field Effect Transistor as a Synapse Device.

著者 (3件)： YOON S-M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TOKUMITSU E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 4B  ページ： 2119-2124  発行年： 2000年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題構造を持つ金属-強誘電体-金属-酸化膜-半導体電界効果ト...

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0544407&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

引用文献 (14件)：

• 1) H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 442.
• 2) S. M. Yoon, E. Tokumitsu and H. Ishiwara: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 526.
• 3) H. Ishiwara, S. M. Yoon and E. Tokumitsu: Proc. Int. Symp. Future of Intellectual Integrated Electronics, Sendai, Japan, 1999, p. 249.
• 4) E. Tokumitsu, G. Fujii and H. Ishiwara: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 493 (1998) 459.
• 5) E. Tokumitsu, R. Nakamura and H. Ishiwara: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 160.

タイトルに関連する用語 (9件)： シナプス素子 ,  Pt ,  Ti ,  SiO2 ,  Si ,  電界効果トランジスタ ,  強誘電体 ,  ニューロン ,  保持特性