文献

J-GLOBAL ID：200902135679555639   整理番号：98A0652831

ガラス基板上のa-Si:H膜の初期プラズマCVD過程に対するab initio分子軌道解析

An ab-initio molecular-orbital analysis on the initial plasma CVD process of a-Si:H film on glass substrate.

著者 (4件)： MIYAZAKI K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SATO K (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 316  号： 1/2  ページ： 134-138  発行年： 1998年03月21日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記a-Si:Hの初期成長過程を表面模型化合物と気相種の反応...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0652831&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ガラス基板 ,  Si ,  初期 ,  プラズマCVD ,  過程 ,  分子軌道 ,  解析