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J-GLOBAL ID：200902135742603800   整理番号：95A0769027

四塩化ケイ素を用いたプラズマCVD法によるSiC薄膜の形成

Preparation of SiC Thin Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Silicon Tetrachloride.

著者 (4件)： 米久保荘 (信州大) ,  田中裕之 (信州大) ,  上村喜一 (信州大) ,  小沼義治 (信州大)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 115  号： 8  ページ： 770-774  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCl₄とCH<sub>4</sub...

シソーラス用語： 薄膜成長 ,...
準シソーラス用語： 四塩化けい素

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (20件)：

• WASA, K. Highly reliable temperature sensor using rf-sputtered SiC thin film. Rev. Sci. Instrum. 1979, 50, 1084-1088
• ZIEGLER, G. Single Crystal Growth of SiC Substrate Material for Blue Light Emitting Diodes. IEEE Trans. ED. 1983, ED-30, 277-281
• SUGII, T. Si Heterojunction Bipolar Transistors with Single-Crystalline β-SiC Emitters. J. Electrochem. Soc. 1987, 134, 2545-2549
• SUGII, T. Polycrystalline SiC for a Wide-Bandgap Emitter of Si-HBTs. J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 3111-3115
• ONUMA, Y. Polycrystalline Silicon Carbide Films for Piezoresistive Elements. Sens. and Materials. 1991, 2, 207-216

タイトルに関連する用語 (4件)： 四塩化ケイ素 ,  プラズマCVD法 ,  SiC ,  薄膜