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J-GLOBAL ID：200902136465072114   整理番号：03A0004548

けい素メルトからのAcheson種結晶への炭化けい素エピタキシャル層成長

Silicon carbide epitaxial layer growths on Acheson seed crystals from silicon melt.

著者 (5件)： KHAN M N (Pakistan Inst. Nuclear Sci. and Technol., Islamabad, PAK) ,  NISHIZAWA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KATO T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KOSUGI R (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 57  号： 2  ページ： 307-314  発行年： 2002年12月 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： けい素 ,  メルト ,  種結晶 ,  炭化けい素 ,  エピタキシャル層 ,  成長