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J-GLOBAL ID：200902138555733309   整理番号：96A0053156

ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド(111)膜の成長表面と酸化表面に形成させたSchottky障壁の電気的性質

Electrical properties of Schottky barrier formed on as-grown and oxidized surface of homoepitaxially grown diamond (001) film.

著者 (8件)： KIYOTA H (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  MATSUSHIMA E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SATO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ANDO T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  IIDA M (Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 24  ページ： 3596-3598  発行年： 1995年12月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記Schottky障壁の特性を調べた。成長膜と酸化膜のいず...

シソーラス用語： エピタクシー ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  ダイヤモンド ,  成長 ,  酸化 ,  Schottky障壁 ,  電気的性質