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J-GLOBAL ID:200902138555733309   整理番号:96A0053156

ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド(111)膜の成長表面と酸化表面に形成させたSchottky障壁の電気的性質

Electrical properties of Schottky barrier formed on as-grown and oxidized surface of homoepitaxially grown diamond (001) film.
著者 (8件):
資料名:
巻: 67  号: 24  ページ: 3596-3598  発行年: 1995年12月11日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標記Schottky障壁の特性を調べた。成長膜と酸化膜のいず...
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分類 (1件):
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半導体-金属接触 

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