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J-GLOBAL ID：200902138615413015   整理番号：00A0710547

固相エピタクシーでのSi(111)上におけるGeの核形成と成長

Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy.

著者 (8件)： SUZUMURA I (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OKADA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MUTO A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TORIGE Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 369  号： 1/2  ページ： 116-120  発行年： 2000年07月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記SPEを用いたSi(111)表面におけるGeの核形成と成...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 固相エピタクシー ,  Si ,  Ge ,  核形成 ,  成長