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J-GLOBAL ID：200902141073196560   整理番号：02A0058586

極端紫外リソグラフィー用の化学増幅を利用した表面シリル化単層レジスト II 液相からのSi化合物の制限された透過

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep Ultraviolet Lithography: II. Limited Permeation of Si Compounds from Liquid Phase.

著者 (6件)： SUGITA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YAMASHITA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  LIEW C M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARADA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUSHIDA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SAITO K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 11  ページ： 6658-6662  発行年： 2001年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オニウム塩を含むポリビニルフェノールの厚い単層を,ヘキサメチ...

シソーラス用語： 真空紫外線 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (3件)： テトラメチルアミニウム ,  2,2,4,4,6,6-ヘキサメチルシクロヘキサントリシラザン ,  ヘキサメチルジシラザン

引用文献 (7件)：

• 1) K. Sugita, M. Ikagawa, K. Harada, M. Kushida and K. Saito: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 669.
• 2) K.-H. Baik, A. M. Goethals, K. Ronse and L. Van den hove: J. Photopolym. Sci. Technol. 7 (1994) 517.
• 3) T. Matsuo and M. Endo: J. Photopolym. Sci. Technol. 9 (1996) 523.
• 4) K. Sugita, N. Ueno, M. Kushida, K. Mizuno and H. Mitsui: J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 802.
• 5) H. Ito, E. Flores and A. F. Ronaldo: J. Electrochem. Soc. 135 (1988) 2328.

タイトルに関連する用語 (11件)： 極端紫外 ,  リソグラフィー ,  化学 ,  増幅 ,  シリル化 ,  単層 ,  レジスト ,  液相 ,  Si化合物 ,  制限 ,  透過