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J-GLOBAL ID:200902143280432609   整理番号:96A0498216

193nmリソグラフィー用の新型の単層レジスト

A New Single-Layer Resist for 193-nm Lithography.
著者 (6件):
資料名:
巻: 35  号: 4B  ページ: L528-L530  発行年: 1996年04月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標記リソグラフィー用のテトラヒドロ-4-メチル-2オキソ-2...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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その他の高分子の反応  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (12件):
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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