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J-GLOBAL ID：200902143818470603   整理番号：98A0441436

ZnO及びMg_xZn_1-xOに基づいた2重ヘテロ構造

Double Heterostructure Based on ZnO and Mg_xZn_1-xO.

著者 (9件)： OHTOMO A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAWASAKI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOIDA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (CREST, Sci. and Technol. Corp., Shinjuku, JPN) ,  SAKURAI Y (Toyo Univ., Kawagoe, JPN) ,  SUMIYA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  YASUDA T (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  SEGAWA Y (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 264/268  号： Pt.2  ページ： 1463-1466  発行年： 1998年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドギャップ半導体のMg_xZn<su...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： ZnO ,  ヘテロ構造