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J-GLOBAL ID：200902143957740992   整理番号：95A1000445

リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成

Preperation of silicon oxynitride thin films by remote-plasma excited nitrogen and oxygen.

著者 (2件)： 斎藤洋司 (成けい大 工) ,  河辺信宏 (成けい大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 95  号： 317(SDM95 145-154)  ページ： 45-50  発行年： 1995年10月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン窒化酸化膜はメモリデバイス等における高信頼性絶縁膜と...

シソーラス用語： 絶縁膜 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： リモートプラズマ ,  励起 ,  窒素 ,  酸素 ,  シリコン ,  窒化 ,  酸化膜