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J-GLOBAL ID：200902144148998985   整理番号：02A0272773

0.1μmの幅のエミッタのInP/GaInAs二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタの作製

Fabrication of InP/GaInAs Double Heterojunction Bipolar Transistors with a 0.1-μm-Wide Emitter.

著者 (5件)： MORITA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAGATSUKA H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 2A  ページ： L121-L123  発行年： 2002年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己整列法によって標題のトランジスタを作製し,最大直流電流利...

シソーラス用語： *リン化インジウム ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• 1) Q. Lee, S. C. Martin, D. Mensa, R. P. Smith, J. Guthrie and J. W. Rodwell: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 396.
• 2) Y. Miyamoto, J. M. M. Rios, A. G. Dentai and S. Chandrasekhar: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 97.
• 3) T. Arai, S. Yamagami, Y. Okuda, Y. Harada, Y. Miyamoto and K. Furuya: IEICE Trans. Electron. E84-C (2001) 1394.
• 4) S. Tadayon, G. Metze, A. Cornfeld, K. Pande, H. Huang and B. Tadayon: IEEE Electron. Lett. 29 (1993) 26.
• 5) M. Madhan Raj, S. Toyoshima and S. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L811.

タイトルに関連する用語 (5件)： エミッタ ,  InP ,  GaInAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  作製