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J-GLOBAL ID：200902176069964187   整理番号：99A0739066

CH₄/H₂反応性イオンエッチングで製作したベンゾシクロブテン/半導体高反射ミラーを用いた多重マイクロキャビティレーザ

Multiple Micro-Cavity Laser with Benzocyclobutene/Semiconductor High Reflective Mirrors Fabricated by CH₄/H₂-Reactive lon Etching.

著者 (3件)： RAJ M M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TOYOSHIMA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 7B  ページ： L811-L814  発行年： 1999年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記イオンエッチング法で,λ/4幅溝とベンゾシクロブテン(B...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

物質索引 (1件)： ベンゾシクロブテン

引用文献 (21件)：

• 1) K. Iga, F. Koyama and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. 24 (1988) 1845.
• 2) M. Fujita, K. Inoshita and T. Baba: Electron. Lett. 34 (1998) 278.
• 3) T. Baba, M. Hamsaki, N. Watanabe, P. Kaewplung, A. Matsutani, T. Makaihara, F. Koyama and K. Iga: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1390.
• 4) J. J. Liang, S. T. Lau, M. H. Leary and J. M. Ballantyne: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1192.
• 5) K. C. Shin, M. Tamura, N. Serizawa, S. Kurihashi, S. Tamura and S. Arai: Opt. & Quantum Electron. 26 (1996) 487.

タイトルに関連する用語 (7件)： H2 ,  反応性イオンエッチング ,  製作 ,  ベンゾシクロブテン ,  反射ミラー ,  多重 ,  マイクロキャビティレーザ