文献

J-GLOBAL ID：200902145779286797   整理番号：01A0758406

157nmマイクロリソグラフィーのためのふっ素化重合体レジスト材料

Fluoropolymer Resist Materials for 157nm Microlithography.

著者 (9件)： TRAN H V (Univ. Texas, TX) ,  HUNG R J (Univ. Texas, TX) ,  CHIBA T (Univ. Texas, TX) ,  YAMADA S (Univ. Texas, TX) ,  SANDERS D P (California Inst. Technol., CA) ,  CONNOR E F (California Inst. Technol., CA) ,  GRUBBS R H (California Inst. Technol., CA) ,  CONLEY W (SEMATECH, TX) ,  WILLSON C G (Univ. Texas, TX)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 14  号： 4  ページ： 669-674  発行年： 2001年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ノルボルネン環の5-位置に側鎖としてヘキサフルオロイソプロパ...

シソーラス用語： *フッ素化重合体 ,...
準シソーラス用語： ポジティブ型レジスト

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (5件)： 2-(ノルボルナ-5-エン-2-イルメチル)-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン-2-オール ,  ノルボルナ-5-エン-2-カルボン酸tert-ブチル ,  2-(トリフルオロメチル)ノルボルナ-5-エン-2-カルボン酸tert-ブチル ,  3-(トリフルオロメチル)-4,4-ジフルオロトリシクロ[4.2.1.0^2,5]ノナ-7-エン-3-カルボン酸メチル ,  ビス(tert-ブトキシぎ酸)[2,2′-(シクロヘキサン-4,1-ジイル)ビス(1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン)]-2,2′-ジイル

引用文献 (13件)：

• 1). T. M. Bloomstein, M. W. Horn, M. Rothschild, R. R. Kunz, S. T. Palmacii, and R. B. Goodman, J. Vac. Sci. Technol. B, 13(6) (1997) 2112.
• 2). K. Patterson et al., Proc. SPIE, 3999 (2000) 365-374.
• 3). C. Brodsky et al., J. Vac. Sci. Technol. B, 18(6) (2000) 3396-3401.
• 4). T. Chiba et al., J. Photopolym. Sci. Technol., 13 (2000) 657-664.
• 5). R. Hung et al., Proc. SPIE, in press.

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロリソグラフィー ,  ふっ素化重合体 ,  レジスト材料