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J-GLOBAL ID：200902146621194433   整理番号：01A1032430

光音響法によるSiイオンを注入したシリコン基板の熱伝導率とアニール特性の研究

Photoacoustic Study on Annealing Behavior of Thermal Conductivity in Si Ion-Implanted Silicon.

著者 (4件)： 高畠信也 (神奈川工科大) ,  小林武 (神奈川工科大) ,  庄善之 (東海大) ,  和泉富雄 (東海大)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J84-C  号： 11  ページ： 1100-1105  発行年： 2001年11月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： イオン注入した半導体基板においては,イオン注入により結晶中に...

シソーラス用語： *基板 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (16件)：

• ZAMMIT, U. Photoacoustic optical and thermal characterization of Si and GaAs ion implanted layers. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 830-832
• 難破進. イオン注入技術. 1975
• 伊藤糾次. イオン・インプランテーション. 1976
• IZUMI, T. The effect of recoiled oxygen on the annealing properties of Si surface layer implanted with As through SiO_2 films. Nucl. Inst. and Meth. in Phys. Res. 1985, B7/8, 321-325
• PAO, Y. H. Optoacoustic Spectroscopy and Detection. 1977

タイトルに関連する用語 (7件)： 光音響法 ,  Siイオン ,  注入 ,  シリコン基板 ,  熱伝導率 ,  アニール ,  研究