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J-GLOBAL ID：200902149113270875   整理番号：00A0682182

AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察

著者 (6件)： 田中成泰 (名古屋大 工) ,  川口靖利 (名古屋大 工) ,  山田和弘 (名古屋大 工) ,  沢木宣彦 (名古屋大 工) ,  日比野倫夫 (名古屋大 理工科学総研セ) ,  平松和政 (三重大 工)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 27  号： 1  ページ： 30  発行年： 2000年07月26日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiO₂のストライプを形成した(111...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (1件)：

• KAWAGUCHI, Y. Jpn.J.Appl.Phys. 1998, 37, L966

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  中間層 ,  作製 ,  Si ,  選択成長 ,  GaN ,  TEM観察