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J-GLOBAL ID：200902141429842543   整理番号：98A0807080

有機金属気相エピタクシーによるSiO₂マスクを使ったSi基板上へのGaNの選択領域成長

Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO₂ Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

著者 (6件)： KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HONDA Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  MATSUSHIMA H (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI M (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 8B  ページ： L966-L969  発行年： 1998年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板にドット形の窓を開けたSiO<sub>2<...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (9件)：

• 1) M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis and R. J. Nemanich: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 3288
• 2) J. L. Shaw, H. F. Gray, K. L. Jensen and T. M. Jung: J. Vac. Sci. & Technol. <b>B14</b> (1996) 2072
• 3) S. Kitamura, K. Hiramatsu and N. Sawaki: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1184
• 4) R. D. Underwood, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. Keller, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: Solid-State Electron. 41 (1997) 243.
• 5) O. -H. Nam, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. J. Nemanich and R. F. Davis: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L532

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  SiO2 ,  マスク ,  Si基板 ,  GaN ,  領域成長