超薄SOI n-MOSFETの高度に抑制された短チャネル効果

SUZUKI E; ISHII K; KANEMARU S; MAEDA T; TSUTSUMI T; SEKIGAWA T; NAGAI K; HIROSHIMA H

文献

J-GLOBAL ID：200902151310604763 整理番号：00A0330911

超薄SOI n-MOSFETの高度に抑制された短チャネル効果

Highly Suppressed Short-Channel Effects in Ultrathin SOI n-MOSFET’s.

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資料名：
巻： 47 号： 2 ページ： 354-359 発行年： 2000年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超薄(4~18nm)SOI n-MOSFETの短チャネル効果...

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