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J-GLOBAL ID：200902152046074064   整理番号：93A0799305

1.3μm・GaInAsP/InP円形埋め込みヘテロ構造面発光レーザの室温・パルスおよび-57°C・CW動作における低しきい値電流

Low Threshold Room Temperature Pulsed and -57°C CW Operations of 1.3μm GaInAsP/InP Circular Planar Buried Heterostructure Surface-Emitting Lasers.

著者 (5件)： BABA T (Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN) ,  SUZUKI K (Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN) ,  YOGO Y (Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 5  号： 7  ページ： 744-746  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円形プレーナ埋め込みヘテロ構造の効率の高いキャリヤ閉じ込め構...

シソーラス用語： 面発光レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaInAsP ,  InP ,  円形 ,  埋め込み ,  ヘテロ構造 ,  面発光レーザ ,  室温 ,  パルス ,  CW ,  しきい値電流