電子照射によりn型シリコンに発生した空格子点-酸素対と水素との相互作用

文献

J-GLOBAL ID：200902152506033701 整理番号：00A0292999

Interaction of hydrogen with the vacancy-oxygen pair produced in n-type silicon by electron irradiation.

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巻： 15 号： 2 ページ： 126-129 発行年： 2000年02月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

10MeV電子を照射したn-Siにおける標題相互作用を,深準...

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半導体の格子欠陥 , 不純物・欠陥の電子構造

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