FUJISAKI Y について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
ISHIWARA H について
Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について
半導体材料 について
固体デバイス製造技術一般 について
窒素 について
ラディカル について
シリコン基板 について
損傷 について
水素 について
窒化 について