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J-GLOBAL ID：200902153234595477   整理番号：98A0793843

流路を持つ低圧MOVPE法による(0001)6H-SiC上へのGaNの直接成長

Direct growth of GaN on (0001) 6H-SiC by low-pressure MOVPE with a flow channel.

著者 (6件)： KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBATA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO J (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  TSUBAMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190  ページ： 189-192  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 流路 ,  低圧 ,  MOVPE ,  6H-SiC ,  GaN ,  成長