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J-GLOBAL ID：200902154933456985   整理番号：02A0776755

600°C以下における高濃度オゾンガスによる高品質SiO2膜形成

High-quality SiO2 film formation by highly concentrated ozone gas at below 600°C.
著者 (6件)：
NISHIGUCHI T

NISHIGUCHI T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
NONAKA H

NONAKA H について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
ICHIMURA S

ICHIMURA S について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

, 
MORIKAWA Y

MORIKAWA Y について

(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)

Meidensha Corp., Shizuoka, JPN について

, 
KEKURA M

KEKURA M について

(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)

Meidensha Corp., Shizuoka, JPN について

, 
MIYAMOTO M

MIYAMOTO M について

(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)

Meidensha Corp., Shizuoka, JPN について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 81  号： 12  ページ： 2190-2192  発行年： 2002年09月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高濃度オゾン(O3)ガスを用いてシリコ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*オゾン

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分類 (1件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

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オゾンガス

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高品質

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SiO2

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膜形成

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