文献

J-GLOBAL ID：200902155033794830   整理番号：99A0755046

SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si構造を使った不揮発性強誘電体ゲート電界効果トランジスタ

Nonvolatile ferroelectric-gate field-effect transistors using SrBi₂Ta₂O₉/Pt/SrTa₂O₆/SiON/Si structures.

著者 (3件)： TOKUMITSU E (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FUJII G (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 4  ページ： 575-577  発行年： 1999年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題構造を用いたpチャネル金属-強誘電体-金属-絶縁体-半導...

シソーラス用語： 白金 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0755046&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pt ,  SiON ,  Si ,  不揮発性 ,  強誘電体ゲート電界効果トランジスタ