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J-GLOBAL ID：200902156251718751   整理番号：01A0078747

水素化物気相エピタクシーによる自立GaN基板

Free-Standing GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy.

著者 (3件)： PARK S S (Samsung Advanced Inst. Technol., Suwon,KOR) ,  PARK I-W (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOH S H (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 11B  ページ： L1141-L1142  発行年： 2000年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2インチ径の(0001)サファイアウエハに水素化物気相エピタ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Koyaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 832.
• 2) I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, S. Krukowski, M. Wroblewski and S. Porowski: MRS Internet J. Semicond. Res. 1 (1996) 20.
• 3) M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Gorgens, O. Ambacher and M. Stutzmann: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L217.
• 4) W. S. Wong, T. Sands and N. W. Cheung: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 599.
• 5) O. Ambacher, M. S. Brandt, R. Dimitrov, T. Metzger, M. Stutzmann, R. A. Fisher, A. Miehr, A. Bergmaier and G. Dollinger: J. Vac. Sci. & Technol. B<B>14</B> (1996) 3532.

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素化物気相エピタクシー ,  自立 ,  GaN