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J-GLOBAL ID：200902167223301570   整理番号：99A0442010

水素化物気相エピタクシーおよびレーザ誘起リフトオフによる大口径自立GaN基板

Large Free-Standing GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Laser-Induced Liftoff.

著者 (6件)： KELLY M K (Advanced Technol. Materials, Inc., Connecticut, USA) ,  VAUDO R P (Advanced Technol. Materials, Inc., Connecticut, USA) ,  PHANSE V M (Advanced Technol. Materials, Inc., Connecticut, USA) ,  GOERGENS L (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  AMBACHER O (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  STUTZMANN M (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 3A  ページ： L217-L219  発行年： 1999年03月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NH₃とGaClを気相反応させてサファ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： リフトオフ

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• 1) I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, S. Krukowski, M. Wroblewski and S. Porowski: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1 (1996) 20.
• 2) R. P. Vaudo, V. M. Phanse, X. Wu, Y. Golan and J. S. Speck: 2nd Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima, 1997.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Koyaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 2014.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Koyaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 832.
• 5) Yu. V. Melnik, K. V. Vassilevski, I. P. Nikitina, A. I. Babanin, V. Yu. Davydov and V. A. Dmitriev: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2 (1997) 39.

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化物気相エピタクシー ,  レーザ誘起 ,  リフトオフ ,  大口径 ,  自立 ,  GaN