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J-GLOBAL ID：200902157664633122   整理番号：98A0437899

X線回折による多孔質シリコン多層膜の構造解析

Structural Analysis of Porous Silicon Multilayer using X-Ray Diffraction.

著者 (3件)： MAEHAMA T (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  AFUSO C (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  ITOH N (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 3A  ページ： 998-1005  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質Si単層や2,3,7および50層の多孔質Si多層膜の構...

シソーラス用語： X線回折 ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (17件)：

• 1) A. Uhlir: Bell Syst. Tech. J. 35 (1956) 333.
• 2) Y. Watanabe, Y. Arita, T. Yokoyama and Y. Igarashi: J. Electrochem. Soc. 122 (1975) 1351.
• 3) Y. Arita and Y. Sunohara: J. Electrochem. Soc. 124 (1977) 285.
• 4) Y. Arita, K. Kato and T. Sudo: IEEE Trans. Electron Devices 24 (1977) 756.
• 5) L. T. Canham: Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1046

タイトルに関連する用語 (4件)： X線回折 ,  多孔質シリコン ,  多層膜 ,  構造解析