積層サラウンディングゲートトランジスタ(S-SGT)構造セルを持つ新規超高密度フラッシュメモリ

ENDOH T; KINOSHITA K; TANIGAMI T; WADA Y; SATO K; YAMADA K; YOKOYAMA T; TAKEUCHI N; MASUOKA F

文献

J-GLOBAL ID：200902159307837715 整理番号：02A0200604

積層サラウンディングゲートトランジスタ(S-SGT)構造セルを持つ新規超高密度フラッシュメモリ

Novel Ultra High Density Flash Memory with A Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) Structured Cell.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0200604&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0200604&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

著者 (9件)：

ENDOH T

ENDOH T について

名寄せID(JGPN) 200901100568910217 ですべてを検索
「ENDOH T」ですべてを検索
研究者情報を見る

(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)

TOHOKU Univ., Sendai, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096670644 ですべてを検索
「TOHOKU Univ., Sendai, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

KINOSHITA K

KINOSHITA K について

名寄せID(JGPN) 200901100466648615 ですべてを検索
「KINOSHITA K」ですべてを検索

(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)

Sharp Corp., Hiroshima, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000095981239 ですべてを検索
「Sharp Corp., Hiroshima, JPN」ですべてを検索

TANIGAMI T

TANIGAMI T について

名寄せID(JGPN) 200901100325315639 ですべてを検索
「TANIGAMI T」ですべてを検索

(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)

TOHOKU Univ., Sendai, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096670644 ですべてを検索
「TOHOKU Univ., Sendai, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

WADA Y

WADA Y について

名寄せID(JGPN) 200901100353447397 ですべてを検索
「WADA Y」ですべてを検索

(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)

Sharp Corp., Hiroshima, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000095981239 ですべてを検索
「Sharp Corp., Hiroshima, JPN」ですべてを検索

SATO K

SATO K について

名寄せID(JGPN) 200901100530612050 ですべてを検索
「SATO K」ですべてを検索

(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)

Sharp Corp., Hiroshima, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000095981239 ですべてを検索
「Sharp Corp., Hiroshima, JPN」ですべてを検索

YAMADA K

YAMADA K について

名寄せID(JGPN) 200901100444345112 ですべてを検索
「YAMADA K」ですべてを検索

(Sharp Corp., Hiroshima, JPN)

Sharp Corp., Hiroshima, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000095981239 ですべてを検索
「Sharp Corp., Hiroshima, JPN」ですべてを検索

YOKOYAMA T

YOKOYAMA T について

名寄せID(JGPN) 200901100363637410 ですべてを検索
「YOKOYAMA T」ですべてを検索

(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)

TOHOKU Univ., Sendai, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096670644 ですべてを検索
「TOHOKU Univ., Sendai, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

TAKEUCHI N

TAKEUCHI N について

名寄せID(JGPN) 200901100474054120 ですべてを検索
「TAKEUCHI N」ですべてを検索

(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)

TOHOKU Univ., Sendai, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096670644 ですべてを検索
「TOHOKU Univ., Sendai, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

MASUOKA F

MASUOKA F について

名寄せID(JGPN) 200901100375314358 ですべてを検索
「MASUOKA F」ですべてを検索
研究者情報を見る

(TOHOKU Univ., Sendai, JPN)

TOHOKU Univ., Sendai, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096670644 ですべてを検索
「TOHOKU Univ., Sendai, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

資料名：

Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について

JST資料番号 C0829B ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 2001 ページ： 33-36 発行年： 2001年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

通常のNANDフラッシュメモリは2次元構造を持ち,ビット当た...

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

*フラッシュメモリ

フラッシュメモリについて

「フラッシュメモリ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

,...
準シソーラス用語：

サラウンディングゲート

サラウンディングゲートについて

「サラウンディングゲート」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0200604&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

分類 (2件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

半導体集積回路

(NC03162T)

半導体集積回路について

分類コード NC03162T で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索

, 固体デバイス製造技術一般

(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般について

分類コード NC03030V で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (5件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

サラウンディングゲート

サラウンディングゲートについて

「サラウンディングゲート」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

トランジスタ

トランジスタについて

「トランジスタ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

セル

セルについて

「セル」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

高密度

高密度について

「高密度」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

フラッシュメモリ

フラッシュメモリについて

「フラッシュメモリ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る