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J-GLOBAL ID：200902160182887500   整理番号：95A0571255

減圧MOCVD法によるCuAl_xGa_1-xSe₂の成長 (II)

LP-MOCVD growth of CuAlxGa1-xSe2. (II).

著者 (9件)： 秩父重英 (東京理大 理工) ,  白方祥 (愛媛大 工) ,  刈谷哲也 (高知大 理) ,  森貴朗 (東京理大 理工) ,  原田佳幸 (慶応大 理工) ,  芳賀清顕 (東京理大 理工) ,  樋口博文 (ベンテック) ,  中西久幸 (東京理大 理工) ,  磯村滋宏 (愛媛大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 3  ページ： 1302  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： 減圧 ,  MOCVD ,  成長