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J-GLOBAL ID：200902162359008793   整理番号：00A1007608

高ガス圧スパッタリングによるBaTiO₃薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of BaTiO₃ Thin Films by High Gas Pressure Sputtering.

著者 (4件)： YASUMOTO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YANASE N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ABE K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KAWAKUBO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 9B  ページ： 5369-5373  発行年： 2000年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfマグネトロンスパッタリングによりSrRuO<sub>3<...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (18件)：

• 1) N. Yanase, K. Abe, N. Fukushima and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5305.
• 2) K. Abe and S. Komatsu: J. Appl. Phys. 77 (1995) 6461.
• 3) K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5575.
• 4) K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5846.
• 5) N. Yanase, K. Abe, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L151.

タイトルに関連する用語 (5件)： ガス圧 ,  スパッタリング ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長