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J-GLOBAL ID：200902163650149570   整理番号：98A0389314

Si基板上の強誘電体(Ba,Sr)TiO₃キャパシタ用のTi_1-xAl_xNバッファ層のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Ti_1-xAl_xN Buffer Layer for a Ferroelectric (Ba, Sr)TiO₃ Capacitor on Si Substrate.

著者 (4件)： YANASE N (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  SANO K (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  ABE K (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWAKUBO T (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 2A  ページ： L151-L153  発行年： 1998年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100eVのN₂イオンビーム照射を用い...

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (14件)：

• 1) T. Kawakubo, K. Abe, S. Komatsu, K. Sano, N. Yanase and H. Mochizuki: Ext. Abstr. IEEE IEDM'96, (Dec. 1996) 695.
• 2) J. Narayan, P. Tiwari, X. Chen, J. Singh, R. Chowdhury and T. Zheleva: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1290
• 3) W. J. Meng and G. L. Eesley: Thin Solid Films 271 (1995) 108.
• 4) K. Sano, M. Oose and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 3266
• 5) M. Witter, J. Noser and H. Melchior: J. Appl. Phys. 52 (1981) 6659

タイトルに関連する用語 (7件)： Si基板 ,  強誘電体 ,  Ba ,  Sr ,  キャパシタ ,  バッファ層 ,  エピタキシャル成長