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J-GLOBAL ID:200902163650149570   整理番号:98A0389314

Si基板上の強誘電体(Ba,Sr)TiO3キャパシタ用のTi1-xAlxNバッファ層のエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Ti1-xAlxN Buffer Layer for a Ferroelectric (Ba, Sr)TiO3 Capacitor on Si Substrate.
著者 (4件):
資料名:
巻: 37  号: 2A  ページ: L151-L153  発行年: 1998年02月01日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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100eVのN2イオンビーム照射を用い...
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その他の無機化合物の薄膜 

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