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J-GLOBAL ID：200902163865602012   整理番号：01A0700033

100nmを切る領域での相補型金属酸化物半導体回路の性能に及ぼす歪Siチャネルの影響

Impact of Strained-Si Channel on Complementary Metal Oxide Semiconductor Circuit Performance under the Sub-100nm Regime.

著者 (3件)： HATAKEYAMA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MATSUZAWA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4B  ページ： 2627-2632  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100nm以下のチャネル長をもつ歪SiチャネルCMOSから構...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発振回路  (NC05020Y)

引用文献 (15件)：

• 1) J. I. Welser, J. L. Hoyt, S. Takagi and J. F. Gibbons: IEEE IEDM Tech. Dig. (1994) 373.
• 2) K. Rim, J. L. Hoyt and J. F. Gibbons: IEEE IEDM Tech. Dig. (1998) 707.
• 3) S. Takagi, J. L. Hoyt, J. I. Welser and J. F. Gibbons: J. Appl. Phys. 80 (1996) 1567.
• 4) R. Oberhuber, G. Zandler and P. Vogl: Phys. Rev. B 58 (1998) 9941.
• 5) Y. Taur and E. J. Nowak: IEEE IEDM Tech. Dig. (1997) 215.

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属酸化物半導体 ,  歪 ,  Si ,  チャネル