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J-GLOBAL ID：200902163882748411   整理番号：93A0636436

CVD法によるサファイア基板上へのBi₄Ti₃O₁₂エピタキシャル膜の合成

Preparation of epitaxial Bi₄Ti₃O₁₂ films on sapphire substrates by chemical vapor deposition.

著者 (4件)： 増本博 (東北大 金材研) ,  滑川政彦 (東北大 金材研) ,  山根久典 (東北大 金材研) ,  平井敏雄 (東北大 金材研)
資料名： 粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)
巻： 40  号： 7  ページ： 693-696  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Bi(C₆H₅)...

シソーラス用語： チタン酸塩 ,...
準シソーラス用語： 担体

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分類 (1件)： 絶縁材料  (NA04030W)

引用文献 (7件)：

• 1) T. Takenaka and K. Sakata: Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) 31.
• 2) W. J. Takei, N. P. Formigoni and M. H. francombe: Appl. Phys. Lett., 15 (1969) 256.
• 3) Shu-Yau Wu: J. Appl. Phys., 50 (1979) 4314.
• 4) H. Masumoto, T. Goto and T. Hirai: Appl. Phys. Lett., 55 (1989) 498.
• 5) R. Ramesh, K. Luther, B. Wilkenes, D. L. Hart, E. Wang and J. M. Tarascon: Appl. Phys. Lett., 57 (1990)1505.

タイトルに関連する用語 (3件)： CVD法 ,  サファイア基板 ,  エピタキシャル膜