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J-GLOBAL ID：200902164234345596   整理番号：98A0037126

分子ビームエピタクシーによるGa_1-xB_xNの成長

Growth of Ga_1-xB_xN by Molecular Beam Epitaxy.

著者 (4件)： VEZIN V (Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  YATAGAI S (Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  SHIRAKI H (Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  UDA S (Mitsubishi Materials Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 11B  ページ： L1483-L1485  発行年： 1997年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_1-xB_xN...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Isawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Isawa and S. Nagahama: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1868
• 3) M. A. Kahn, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm and W. Schaff: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1083
• 4) J. I. Pankove, M. Leksono, S. S. Chang, C. Walker and B. Van Zeghbroeck: MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1 39 (1996). (http://nsr.mij.mrs.org/1/39/).
• 5) M. D. Lyutaya and T. S. Bartnitskaya: Inorg. Mater. 9 (1973) 1052.

タイトルに関連する用語 (2件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長