文献
J-GLOBAL ID：200902167191248752
整理番号：99A0547563
(411)A InP基板上にMBE成長したSi変調ドープInGaAs/InAlAs歪量子井戸 (2) 界面ラフネス散乱の電子移動度への寄与
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著者 (5件)：
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資料名：
巻：
46th
号：
3
ページ：
1354
発行年：
1999年03月28日
JST資料番号：
Y0054A
資料種別：
会議録 (C)
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
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