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J-GLOBAL ID：200902170031308148   整理番号：00A0122706

高加速電圧・電子ビーム描画系における長範囲かぶり効果の低減

Reduction of long range fogging effect in a high acceleration voltage electron beam mask writing system.

著者 (9件)： OGASAWARA M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SHIMOMURA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAMATSU J (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHITAKE S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OOKI K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAYAMADA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OKABE H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TOJO T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKIGAWA T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 17  号： 6  ページ： 2936-2939  発行年： 1999年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高加速電圧を用いたマスクの電子ビーム描画で特に問題となる長範...

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 加速電圧 ,  電子ビーム描画 ,  かぶり