有機金属化学蒸着によるInP(100)基板上のGa0.46In0.54NyAs1-y単一量子井戸の成長

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J-GLOBAL ID：200902170755595106 整理番号：01A0052307

有機金属化学蒸着によるInP(100)基板上のGa_0.46In_0.54N_yAs_1-y単一量子井戸の成長

Growth of Ga_0.46In_0.54N_yAs_1-y Single Quantum Wells on InP(100) Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

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巻： 39 号： 10 ページ： 5962-5965 発行年： 2000年10月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

比較的高い成長温度で標記の単一量子井戸構造を成長させた。As...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

引用文献 (19件)：

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