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J-GLOBAL ID：200902173760012118   整理番号：94A0878961

(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/AlGaAs量子井戸 (5) 井戸幅依存性(x=0.3)

MBE Grown GaAs/AlGaAs QWs on (411)A GaAs substrates. (5). Well thickness dependence (x=0.3).

著者 (9件)： 下村哲 (大阪大 基礎工) ,  本川剛治 (大阪大 基礎工) ,  篠原啓介 (大阪大 基礎工) ,  北田貴弘 (大阪大 基礎工) ,  邑瀬和生 (大阪大 理) ,  安立明 (日新電機) ,  岡本泰典 (クボタ) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 55th  号： 1  ページ： 255  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  井戸 ,  依存性