低圧有機金属気相エピタクシーを用いて6H-SiC基板上に成長させたInGaNレーザダイオード

文献

J-GLOBAL ID：200902174159298329 整理番号：97A0934939

InGaN Laser Diode Grown on 6H-SiC Substrate Using Low-Pressure Metal Organic Vapor Phase Epitaxy.

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巻： 36 号： 9A/B ページ： L1130-L1132 発行年： 1997年09月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

InGaN多重量子井戸レーザダイオードを低圧有機金属気相エピ...

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半導体レーザ

引用文献 (10件)：

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