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J-GLOBAL ID：200902174451551728   整理番号：99A0999511

Ir/(100)(ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x/(100)Si構造上のエピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜に関する材料特性の厚み依存性

Thickness Dependence of Material Properties of Epitaxial Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ Films on Ir/(100) (ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x/(100)Si Structures.

著者 (4件)： HORII S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  YOKOYAMA S (Kokusai Electric Co., Ltd., Toyama, JPN) ,  NAKAJIMA H (Kokusai Electric Co., Ltd., Toyama, JPN) ,  HORITA S (Kokusai Electric Co., Ltd., Toyama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 9B  ページ： 5378-5382  発行年： 1999年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性マグネトロンスパッタリングにより標記の構造で厚み51~...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (20件)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Device 10 (1963) 338.
• 2) T. Hirai, K. Teramoto, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4163.
• 3) S. Horita, S. Horii and S. Umemoto: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 5141.
• 4) K. R. Udayakumar, P. J. Schuele, J. Chen, S. B. Krupanidhi and L. E. Cross: J. Appl. Phys. 77 (1995) 3981.
• 5) K. Torii, T. Kaga, K. Kushida, H. Takeuchi and E. Takeda: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 3562.

タイトルに関連する用語 (11件)： Ir ,  ZrO2 ,  Y2O3 ,  Si ,  エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  材料特性 ,  厚み依存性