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J-GLOBAL ID：200902174485906959   整理番号：00A0075681

少数キャリア注入を使ったアニーリングによってプロセスされたGaNベースレーザダイオード

GaN-Based Laser Diodes Processed by Annealing with Minority-Carrier Injection.

著者 (7件)： MIYACHI M (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  OTA H (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  KIMURA Y (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  WATANABE A (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  TANAKA T (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  TAKAHASHI H (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  CHIKUMA K (Pioneer Corp., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 11A  ページ： L1237-L1239  発行年： 1999年11月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベースレーザダイオード中のアクセプタドーパントを活性化...

シソーラス用語： *キャリア注入 ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (9件)：

• 1) S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 1258.
• 2) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 3) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L139.
• 4) M. Miyachi, T. Tanaka, Y. Kimura and H. Ota: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1101.
• 5) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア注入 ,  アニーリング ,  GaN ,  レーザダイオード